超薄石英玻璃雙面套刻加工技術(shù)解析:在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進(jìn)行雙面套刻加工,是實(shí)現(xiàn)高集成度微流控芯片與光學(xué)器件的關(guān)鍵技術(shù)。公司采用激光微加工與紫外光刻結(jié)合工藝,首先通過CO?激光切割實(shí)現(xiàn)玻璃基板的高精度成型(邊緣誤差<±5μm),然后利用雙面光刻對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(精度±1μm)進(jìn)行微結(jié)構(gòu)加工。正面通過干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道,背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層,經(jīng)光刻剝離形成微米級(jí)電極陣列。針對(duì)玻璃材質(zhì)的脆性特點(diǎn),開發(fā)了低溫鍵合技術(shù)(150-200℃),使用硅基粘合劑實(shí)現(xiàn)雙面結(jié)構(gòu)的密封,鍵合強(qiáng)度>3MPa,耐水壓>50kPa。該技術(shù)應(yīng)用于光聲成像芯片時(shí),正面微流道實(shí)現(xiàn)樣本輸送,背面電極陣列同步激發(fā)光聲信號(hào),光-電信號(hào)延遲<10ns,成像分辨率達(dá)50μm。此外,超薄玻璃的高透光性(>95%@400-1000nm)與化學(xué)穩(wěn)定性,使其成為熒光檢測(cè)、拉曼光譜分析等**芯片的優(yōu)先基板,公司已實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓級(jí)批量加工,成品率>90%,為光學(xué)微系統(tǒng)集成提供了可靠的制造平臺(tái)。 MEMS的深硅刻蝕是什么?新疆MEMS微納米加工電話
熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù):熱敏柔性電極采用PI(聚酰亞胺)三明治結(jié)構(gòu),底層PI作為柔性基板,中間層為金屬電極,上層PI實(shí)現(xiàn)絕緣保護(hù),開窗漏出Pad引線位置,兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過程中,首先在25μm厚度的PI基板上通過濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層,利用光刻膠作為掩膜進(jìn)行濕法刻蝕,形成10-50μm寬度的電極圖案,線條邊緣粗糙度<1μm;然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層,通過激光切割開設(shè)引線窗口,窗口定位精度±5μm;***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理,提升層間結(jié)合力(剝離強(qiáng)度>10N/cm)。該電極的彎曲半徑可達(dá)5mm,耐彎折次數(shù)>10萬次,表面電阻<5Ω/□,適用于可穿戴體溫監(jiān)測(cè)、心率傳感器等設(shè)備。在醫(yī)療領(lǐng)域,用于術(shù)后傷口熱敷的柔性加熱電極,可通過調(diào)節(jié)輸入電壓實(shí)現(xiàn)37-42℃精細(xì)控溫,溫度均勻性誤差<±0.5℃,避免局部過熱損傷組織。公司支持電極圖案的個(gè)性化設(shè)計(jì),可集成熱電偶、NTC熱敏電阻等傳感器,實(shí)現(xiàn)“感知-驅(qū)動(dòng)”一體化,推動(dòng)柔性電子技術(shù)在醫(yī)療健康與智能設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。天津MEMS微納米加工之SAW器件EBL設(shè)備制備納米級(jí)超透鏡器件的原理是什么?
MEMS四種刻蝕工藝的不同需求:
1.體硅刻蝕:一些塊體蝕刻些微機(jī)電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材,如壓力傳感器即為一例,即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞,但未蝕穿正面,在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓,不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項(xiàng)特點(diǎn),當(dāng)要維持一個(gè)近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時(shí),是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達(dá)到很高的蝕刻率,一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓。不過當(dāng)采用這類塊體蝕刻時(shí),工藝中很少需要垂直的側(cè)壁。
2.準(zhǔn)確刻蝕:精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組件而設(shè)計(jì)的。就微機(jī)電組件而言,需要該方法的組件包括微光機(jī)電系統(tǒng)及浮雕印模等。一般說來,此類特性要求,蝕刻率的均勻度控制是遠(yuǎn)比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應(yīng)區(qū)附近消耗率高,引發(fā)蝕刻劑密度相對(duì)降低,而在晶圓邊緣蝕刻率會(huì)相應(yīng)地增加,整片晶圓上的均勻度問題應(yīng)運(yùn)而生。上述問題可憑借對(duì)等離子或離子轟擊的分布圖予以校正,從而達(dá)到均鐘刻的目的。
三維微納結(jié)構(gòu)的跨尺度加工技術(shù):跨尺度加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從納米級(jí)到毫米級(jí)結(jié)構(gòu)的一體化制造,滿足復(fù)雜微流控系統(tǒng)對(duì)多尺度功能單元的需求。公司結(jié)合電子束光刻(EBL,分辨率10nm)、紫外光刻(分辨率1μm)與機(jī)械加工(精度10μm),在單一基板上構(gòu)建跨3個(gè)數(shù)量級(jí)的微結(jié)構(gòu)。例如,在類***培養(yǎng)芯片中,納米級(jí)表面紋理(粗糙度Ra<50nm)促進(jìn)細(xì)胞黏附,微米級(jí)流道(寬度50μm)控制營養(yǎng)物質(zhì)輸送,毫米級(jí)進(jìn)樣口(直徑1mm)兼容外部管路。加工過程中,通過工藝分層設(shè)計(jì),先進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)制備(如EBL定義細(xì)胞外基質(zhì)蛋白圖案),再通過紫外光刻形成中層流道,***機(jī)械加工完成宏觀接口,各層結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)誤差<±2μm。該技術(shù)突破了單一工藝的尺度限制,實(shí)現(xiàn)了功能的跨尺度集成,在芯片實(shí)驗(yàn)室(Lab-on-a-Chip)中具有重要應(yīng)用。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門的復(fù)合芯片,用于單分子電信號(hào)檢測(cè),信號(hào)分辨率提升至10fA,為納米生物技術(shù)與微流控工程的交叉融合提供了關(guān)鍵制造能力。MEMS超表面對(duì)光電場特性的調(diào)控是怎樣的?
微納結(jié)構(gòu)的臺(tái)階儀與SEM測(cè)量技術(shù):臺(tái)階儀與掃描電子顯微鏡(SEM)是微納加工中關(guān)鍵的計(jì)量手段,確保結(jié)構(gòu)尺寸與表面形貌符合設(shè)計(jì)要求。臺(tái)階儀采用觸針式或光學(xué)式測(cè)量,可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內(nèi)的輪廓信息,分辨率達(dá)0.1nm,適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺(tái)階高度的測(cè)量。例如,在深硅刻蝕工藝中,通過臺(tái)階儀監(jiān)測(cè)刻蝕深度(精度±1%),確保流道深度均勻性<2%。SEM則用于納米級(jí)結(jié)構(gòu)觀測(cè),配備二次電子探測(cè)器,可實(shí)現(xiàn)5nm分辨率的表面形貌成像,用于微流道側(cè)壁粗糙度(Ra<50nm)、微孔孔徑(誤差<±5nm)的檢測(cè)。在PDMS模具復(fù)制過程中,SEM檢測(cè)模具結(jié)構(gòu)的完整性,避免因缺陷導(dǎo)致的芯片流道堵塞。公司建立了標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)量流程,針對(duì)不同材料與結(jié)構(gòu)選擇合適的測(cè)量方法,如柔性PDMS芯片采用光學(xué)臺(tái)階儀非接觸測(cè)量,硬質(zhì)芯片結(jié)合SEM與臺(tái)階儀進(jìn)行三維尺寸分析。通過大數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC),將關(guān)鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上,確保加工精度滿足需求,為客戶提供可追溯的質(zhì)量保障。多圖拼接測(cè)量技術(shù)通過 SEM 圖像融合,實(shí)現(xiàn)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的亞微米級(jí)精度全景表征。四川MEMS微納米加工按需定制
基于 0.35/0.18μm 高壓工藝的神經(jīng)電刺激 SoC 芯片,實(shí)現(xiàn)多通道控制與生物相容性優(yōu)化。新疆MEMS微納米加工電話
SU8微流控模具加工技術(shù)與精度控制:SU8作為負(fù)性光刻膠,廣泛應(yīng)用于6英寸以下硅片、石英片的單套或套刻微流控模具加工,可實(shí)現(xiàn)5-500μm高度的三維結(jié)構(gòu)制造。加工流程包括:基板清洗→底涂處理→SU8涂膠(轉(zhuǎn)速500-5000rpm,控制厚度1-500μm)→前烘→曝光(紫外光強(qiáng)度50-200mJ/cm2)→后烘→顯影(PGMEA溶液,時(shí)間1-10分鐘)。通過優(yōu)化曝光劑量與顯影時(shí)間,可實(shí)現(xiàn)側(cè)壁垂直度>88°,**小線寬10μm,高度誤差<±2%。在多層套刻加工中,采用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記視覺識(shí)別系統(tǒng)(精度±1μm),確保上下層結(jié)構(gòu)偏差<5μm,適用于復(fù)雜三維流道模具制備。該模具可用于PDMS模塑成型,復(fù)制精度達(dá)95%以上,流道表面粗糙度Ra<100nm。典型應(yīng)用如細(xì)胞培養(yǎng)芯片模具,其微柱陣列(直徑50μm,高度200μm,間距100μm)可模擬細(xì)胞外基質(zhì)環(huán)境,促進(jìn)干細(xì)胞定向分化,細(xì)胞黏附率提升40%。公司具備從模具設(shè)計(jì)、加工到復(fù)制成型的全鏈條能力,支持SU8與硅、玻璃等多種基板的復(fù)合加工,為微流控芯片開發(fā)者提供了高精度、高性價(jià)比的模具解決方案。新疆MEMS微納米加工電話