江蘇優普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產能突破10萬片。這一案例驗證了國產砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。砂輪適配國內外主流減薄設備，根據不同材料和尺寸定制 滿足多元化加工需求 推動國產半導體產業自主可控發展。國產化砂輪源頭工廠

襯底粗磨減薄砂輪是半導體制造中的關鍵工具，尤其在晶圓襯底減薄工藝中發揮著不可替代的作用。隨著新能源汽車、軌道交通、消費電子等行業的快速發展，市場對于芯片和功率器件的性能要求越來越高，這直接推動了襯底粗磨減薄砂輪技術的不斷進步。在江蘇優普納科技有限公司，我們專注于研發和生產品質高的襯底粗磨減薄砂輪，以滿足客戶日益增長的需求。我們的砂輪采用先進的金剛石磨料和品質高結合劑，確保在粗磨過程中具有出色的磨削效率和穩定性，同時能更大限度地減少晶圓表面的損傷，提高芯片良率。氮化鎵砂輪研究報告在實際案例中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比200% Ra≤3nm TTV≤2μm。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其低損耗特性成為半導體加工領域的理想選擇。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長，為客戶節省了大量的成本。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。

優普納不只提供高性能砂輪，更構建了覆蓋售前、售中、售后的全周期服務體系。針對客戶新設備導入或工藝升級需求，優普納技術團隊可提供磨削參數優化（如進給速度、冷卻液配比）與砂輪選型指導。某客戶在導入12吋SiC試驗線時，優普納通過定制25000#砂輪與工藝調試，將TTV從初始的5μm降至2μm，良率提升40%，加速產線量產進程。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。從研發到生產，優普納科技始終專注于提升碳化硅晶圓減薄砂輪的性能，以滿足不斷發展第三代半導體產業需求。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調控技術，打破國外技術壟斷，實現國產化替代。相比進口砂輪，產品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。砂輪適配設備

優普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高精度、低損耗，成為國產碳化硅減薄砂輪市場的先行者 推動產業技術升級。國產化砂輪源頭工廠

在半導體制造領域，晶圓襯底的材質多種多樣，包括單晶硅、多晶體、藍寶石、陶瓷等。不同材質的晶圓對襯底粗磨減薄砂輪的要求也不同。江蘇優普納科技有限公司擁有豐富的砂輪制造經驗和技術實力，能夠根據客戶的具體需求，提供定制化的砂輪解決方案。無論是硬度較高的碳化硅晶圓，還是脆性較大的氮化鎵晶圓，我們都能提供合適的砂輪，確保在粗磨過程中獲得更佳的加工效果。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。國產化砂輪源頭工廠