雪崩效應只是APD的工作原理，和工作模式不是一個東西。APD工作模式分蓋革模式和線型模式，區別在于線型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓，蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓。線性模式下APD就是一個增益高的普通光電二極管。蓋格模式下APD接受到光子后就會進入并一直處于反向擊穿狀態，APD一直通過一個很大的反向電流。這時，通過外部電路使偏置電壓暫時下降至擊穿電壓之下，APD從反向擊穿模式恢復，等待下一個光子，所以蓋格模式通常只適用與單光子計數應用。利用內光電效應制成的光子型探測器是用半導體材料制成的固態電子器件，包括光電導探測器和光伏型探測器等。飛博光電7GHZ APD光電探測器型號

光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中，可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下，選用某種器件會更合適些。例如，當需要比較大的光敏面積時，可選用真空光電管，因其光譜響應范圍比較寬，故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時，采用光電倍增管較合適，因為其放大倍數可達10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量，使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統計變化。因此，在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數等方面，光電倍增管得到廣泛應用。飛博光電7GHZ APD光電探測器型號光子照射在半導體材料上產生光生載流子。

光伏探測器基于光照產生電勢差，用測電勢差的原理。它分為光電池與光電二極管兩種類型，光電池主要是把光能轉換為電能的器件，目前有硒光電池、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等，但目前運用較廣的是硅光電池。光電二級管分為P-N結光電二極管、PIN光電二級管、雪崩光電二極管、光電三級管等。PIN光電二極管又稱快速光電二極管，與一般的光電二極管相比，它具有不的時間常量，并使光譜響應范轉向長波方向移動，其峰值波長可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發射波長相對應。它具有靈敏度高的優點。它是由P型半導體和N型半導體之間夾了一層本征半導體構成的。因為本征半導體近似于介質，這就相當于增大了P-N結結電容兩個電極之間的距離，使結電容變得很小。其次，P型半導體和N型半導體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結電容也要變得很小。由于I層的存在，而P區一般做得很薄，入射光子只能在I層內被吸收，而反向偏壓主要集中在I區，形成高電場區，I區的光生載流子在強電場作用下加速運動，所以載流子渡越時間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應。同時I層的引入加大了耗盡區，展寬了光電轉換的有效工作區域，從而使靈敏度得以提高。

雪崩光電二極管（APD）當二極管PN結上加上足夠強的反向電壓的時候，耗盡區存在一個很強的場，足夠使強電場飄移的光生載流子獲得充分的動能來通過晶格原子碰撞產生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實現了雪崩式的載流子倍增。但這同時也會造成噪聲的放大當入射光功率腳較小時，多采用APD，此時引入的噪聲不大，在入射光功率較大時，雪崩增益引起的噪聲貢獻占主要優勢，可能帶來光電流的失真，采用APD帶來的好處不大，采用PIN更為合適。光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。

光電探測器的光電轉換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發生變化，則光電靈敏度將發生變化。如光敏電阻是一個可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結附近的一個極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準。一定要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內，以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強的電信號。光電探測器在光通信系統中實現將光轉變成電的作用。雪崩光電探測器現貨

光電探測器的性能指標主要由量子效率、響應度、響應速度和本征帶寬、光電流，暗電流和噪聲等指標組成。飛博光電7GHZ APD光電探測器型號

光電探測器的工作原理是基于光電效應，熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學性能，它區別于光子探測器的比較大特點是對光輻射的波長無選擇性。光電子發射器件：光電管與光電倍增管是典型的光電子發射型（外光電效應）探測器件。其主要特點是靈敏度高，穩定性好，響應速度快和噪聲小，是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益，特別適于探測微弱光信號；但它結構復雜，工作電壓高，體積較大。光電倍增管一般用于測弱輻射而且響應速度要求較高的場合，如人造衛星的激光測距儀、光雷達等。飛博光電7GHZ APD光電探測器型號

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