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SiC MOSFET的Qrr對PFC效率的影響是什么?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-29

二極管損耗:Qrr引反向恢復損耗Prr∝Qrr×V×f,芯技SiC體二極管Qrr<0.1μC(Si基>1μC) EMI噪聲:Qrr致di/dt>100A/μs,芯技低Qrr設計使di/dt<30A/μs 死區優化:tdead>trr,芯技器件trr<100ns支持死區縮至50ns(η↑0.8%)

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簡介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產品,廣泛應用于消費電子等多個領域。
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